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英飛凌IGBT模塊型號后綴及其性能解讀


英飛凌IGBT模塊型號后綴蘊(yùn)含著豐富的信息,從芯片技術(shù)、封裝形式到應(yīng)用場景等多方面對模塊性能進(jìn)行了細(xì)分與定義。

英飛凌IGBT模塊型號眾多,不同的后綴往往代表著不同的性能特點(diǎn)、封裝形式及應(yīng)用場景。準(zhǔn)確理解這些后綴含義,對于工程師選型、系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及產(chǎn)品優(yōu)化具有至關(guān)重要的意義。

 

一、型號命名規(guī)則解釋

英飛凌IGBT模塊的型號命名通常包含封裝類型、電流電壓規(guī)格、技術(shù)代次及功能后綴等信息。

以典型型號 FF600R12ME4_B11 為例:

FF:內(nèi)部拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(如FF代表兩單元);

600:標(biāo)稱電流(600A@100℃);

R:逆導(dǎo)型

12:額定電壓(1200V);

M:封裝形式(M表示EconoDAUL3封裝);

E:芯片特性;

4:芯片代數(shù)(如4表示第四代IGBT芯片技術(shù));

_B11:安裝方式(_B11代表壓接安裝);

二、中小功率模塊后綴解釋

 

三、大功率模塊后綴解釋

 

英飛凌IGBT模塊型號后綴蘊(yùn)含著豐富的信息,從芯片技術(shù)、封裝形式到應(yīng)用場景等多方面對模塊性能進(jìn)行了細(xì)分與定義。

深入理解這些后綴含義,能夠幫助工程師在選型過程中精準(zhǔn)匹配應(yīng)用需求,充分發(fā)揮IGBT模塊優(yōu)勢,提升系統(tǒng)的整體性能、可靠性和穩(wěn)定性。

北京富凌聯(lián)合電子致力于英飛凌IGBT產(chǎn)品推廣十余載,以專業(yè)知識服務(wù)于廣大客戶,可協(xié)助客戶選型、測試分析、失效分析等技術(shù)服務(wù)。


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